Parceria de mais de US$ 200 bilhões para chips de IA

A Samsung Electronics anunciou neste sábado (25) um memorando de entendimento (MOU) com a americana Broadcom para ampliar a colaboração em semicondutores de inteligência artificial. O acordo prevê negócios estimados em mais de US$ 200 bilhões até 2030, abrangendo memória, foundry e packaging avançado.

A parceria foi formalizada no mesmo período em que a Coreia do Sul promoveu um summit de IA em São Francisco, reforçando a estratégia do país de se consolidar como fornecedor global de infraestrutura para inteligência artificial.

O que o acordo inclui

A colaboração cobre três frentes principais:

Memória de alta performance, incluindo High Bandwidth Memory (HBM) destinada aos próximos aceleradores de IA da Broadcom.

Foundry (fabricação sob contrato)** com processos de 2 nanômetros e abaixo, voltados especialmente para chips de comunicação de alta velocidade e ASICs personalizados da Broadcom.

Advanced packaging, com tecnologias 2.3D e 2.5D baseadas no processo de 2 nm, que permitem maior densidade e eficiência energética nos chips.

Segundo a Samsung, a combinação dessas tecnologias permitirá oferecer soluções mais integradas para data centers e aplicações de high-performance computing.

Declarações das empresas

Young Hyun Jun, vice-presidente e CEO da divisão de Device Solutions da Samsung, destacou o momento:

“A IA está gerando uma demanda sem precedentes por tecnologias de semicondutores altamente integradas, que abrangem memória, lógica e packaging avançado. Ao expandir nossa colaboração com a Broadcom nessas áreas críticas, esperamos entregar mais valor aos clientes e avançar na infraestrutura de IA do futuro.”

Charlie Kawwas, presidente do Semiconductor Solutions Group da Broadcom, reforçou a importância da parceria:

“À medida que a infraestrutura de IA continua a crescer, a colaboração próxima no ecossistema de semicondutores se torna cada vez mais importante. Ao unir a expertise da Samsung em memória e foundry com a liderança da Broadcom em IA e conectividade, pretendemos continuar entregando tecnologias que alimentam a próxima geração de infraestrutura de IA.”

Contexto da corrida por chips de IA

A demanda por chips personalizados de IA tem crescido de forma acelerada. Grandes empresas de tecnologia estão desenvolvendo seus próprios aceleradores, em vez de depender apenas de GPUs genéricas. Nesse cenário, quem consegue garantir capacidade de fabricação avançada e fornecimento estável de memória de alta banda ganha vantagem competitiva.

Para a Samsung, o acordo com a Broadcom representa um passo importante na tentativa de recuperar terreno no mercado de foundry, ainda dominado pela TSMC. Garantir volumes de longo prazo de um cliente relevante como a Broadcom ajuda a elevar a taxa de utilização das fábricas mais avançadas da empresa coreana.

A parceria também se encaixa em um movimento maior da Coreia do Sul. Nos mesmos dias, o país anunciou outros acordos bilionários envolvendo Samsung, SK Group e empresas americanas, incluindo uma parceria significativa da SK Hynix com a Nvidia voltada para data centers e memória.

Impacto esperado

O volume estimado de mais de US$ 200 bilhões até 2030 coloca o acordo entre os maiores do setor de semicondutores anunciados neste ano. Ele reforça a posição da Samsung como fornecedora vertical (memória + foundry + packaging) e dá à Broadcom acesso garantido a processos de ponta e soluções de memória avançada.

Ainda se trata de um memorando de entendimento, ou seja, um acordo de intenção. Os contratos definitivos e os volumes exatos devem ser detalhados nos próximos meses. Mesmo assim, o anúncio já sinaliza a direção que o mercado de chips de IA está tomando: parcerias de longo prazo, integração profunda entre design e fabricação, e disputa intensa por capacidade produtiva nas tecnologias mais avançadas.

A corrida por infraestrutura de inteligência artificial continua acelerada, e acordos desse porte mostram que a disputa não é apenas por modelos melhores, mas também por quem consegue fabricar e entregar os chips em escala.